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SI-F80R 系列 分光干涉式晶片厚度计
型号： SI-F80R 系列
品牌： 日本基恩士KEYENCE
产品描述
SI-F80R 系列 采用近红外 SLD，即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异，也可实现准确的生产线上测量。 即使已贴附背面研磨带也可测量晶片厚度 将图案的影响降到最小 可在生产线上进行测量 自动映射整个晶片的厚度分布 从SLD(=Super Luminescent Diode)发出的宽波长光带的红外光，穿过偏波保持光纤、透过传感头后照射到晶片表面。在这个表面上，光的一部分被反射，而剩余的一部分穿透晶片后被背面反射。 两个反射光受每个波长的影响而相互产生干涉后，返回到分光单元。干涉光的大小，由参照面到对象物的距离而决定，并在正好达到波长整数倍之际转为极大值。 干涉光被分光器按照每个波长的长度而细分，从CCD的受光波形获取到光强度光谱的分布。然后通过FFT处理等的波形解析来算出晶片的厚度。 型号 SI-F80R*1 类型 晶片厚度测量型 传感头 测量范围 10 至 310 µm (n=3.5 时)*2 可实现的检测距离 80 至 81.1 mm 光源 红外 SLD 输出 0.6 mW, 1 类激光产品（IEC60825-1, FDA（CDRH）Part 1040.10 *3） 光束直径 ø25 µm*4 线性度 ±0.1 µm*5 分辨率 0.25 µm*6 脉冲持续时间 200 µs LED 指示器 工件靠近测量中心 : 绿光。工件在测量范围内 : 橙光。工件在测量范围外 : 橙光闪烁。 温度波动 ― 环境抗耐性 外壳防护级 IP64 环境光照 白炽灯/荧光灯：最大 10,000 lux 环境温度 0 至 +50 °C 相对湿度 35 至 85 % RH (无凝结) 抗震性 10 至 55 Hz、双振幅 1.5 mm、X,Y,Z 方向各 2 个小时 材料 SUS 重量 约 70 g (含连接线) *1 传感头和光谱单元成对校准。两者不可互换。分光干涉式晶片厚度计
特性
分光单元
*2 表示折射率为 3.5 时的厚度测量范围。 (折射率为 1 时厚度测量范围为 35 至 1100 µm)
*3 FDA (CDRH) 的激光分类是基于IEC60825-1 并根据Laser Notice No.50 的要求而实施的。
*4 表示测量范围内的最小光束直径。
*5 当测量两块玻璃板间隙并将平均测量次数设为 256 (转换为折射率就是 3.5) 时获得的值。
*6 当在检测距离内测量厚度为 0.3 mm 的玻璃对象并将平均测量次数设为 4096 时获得的值。